English  |  正體中文  |  简体中文  |  全文筆數/總筆數 : 80990/80990 (100%)
造訪人次 : 42929316      線上人數 : 822
RC Version 7.0 © Powered By DSPACE, MIT. Enhanced by NTU Library IR team.
搜尋範圍 查詢小技巧:
  • 您可在西文檢索詞彙前後加上"雙引號",以獲取較精準的檢索結果
  • 若欲以作者姓名搜尋,建議至進階搜尋限定作者欄位,可獲得較完整資料
  • 進階搜尋


    請使用永久網址來引用或連結此文件: http://ir.lib.ncu.edu.tw/handle/987654321/32479


    題名: Er diffusion into gallium nitride
    作者: Chen,CC;Ting,YS;Lee,CC;Chi,GC;Chakraborty,P;Chini,T;Chuang,HW;Tsang,JS;Kuo,CT;Tsai,WC;Chen,SH;Chyi,JI
    貢獻者: 電機工程研究所
    關鍵詞: MOLECULAR-BEAM EPITAXY;DOPED GAN;IMPLANTED GAN;EMISSION;PHOTOLUMINESCENCE;ELECTROLUMINESCENCE;SI;EU
    日期: 2003
    上傳時間: 2010-07-06 18:29:13 (UTC+8)
    出版者: 中央大學
    摘要: In this study, we report the diffusion mechanism of Er in GaN and the optical properties of Er-diffused GaN. The diffusion coefficient has been measured by Rutherford backscattering spectroscopy and secondary ion mass spectrometry. Erbium is also implante
    關聯: SOLID-STATE ELECTRONICS
    顯示於類別:[電機工程研究所] 期刊論文

    文件中的檔案:

    檔案 描述 大小格式瀏覽次數
    index.html0KbHTML570檢視/開啟


    在NCUIR中所有的資料項目都受到原著作權保護.

    社群 sharing

    ::: Copyright National Central University. | 國立中央大學圖書館版權所有 | 收藏本站 | 設為首頁 | 最佳瀏覽畫面: 1024*768 | 建站日期:8-24-2009 :::
    DSpace Software Copyright © 2002-2004  MIT &  Hewlett-Packard  /   Enhanced by   NTU Library IR team Copyright ©   - 隱私權政策聲明