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    題名: Response to ";Comment on 'AlN/GaN double-barrier resonant tunneling diodes grown by rf-plasma-assisted molecular-beam epitaxy' ";[Appl. Phys. Lett. 83, 3626 (2003)]
    作者: Kikuchi,A;Bannai,R;Kishino,K;Lee,CM;Chyi,JI
    貢獻者: 電機工程研究所
    日期: 2003
    上傳時間: 2010-07-06 18:29:54 (UTC+8)
    出版者: 中央大學
    關聯: APPLIED PHYSICS LETTERS
    顯示於類別:[電機工程研究所] 期刊論文

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