Transport in a gated Al0.18Ga0.82N/GaN electron system

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題名:	Transport in a gated Al0.18Ga0.82N/GaN electron system
作者:	Juang,JR;Huang,TY;Chen,TM;Lin,MG;Kim,GH;Lee,Y;Liang,CT;Hang,DR;Chen,YF;Chyi,JI
貢獻者:	電機工程研究所
關鍵詞:	MOLECULAR-BEAM EPITAXY;ALGAN-GAN HETEROSTRUCTURES;LIGHT-EMITTING-DIODES;VAPOR-PHASE EPITAXY;MOBILITY;POLARIZATION;OPERATION;SUBSTRATE
日期:	2003
上傳時間:	2010-07-06 18:30:08 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	We have investigated the low-temperature transport properties of front-gated Al0.18Ga0.82N/GaN heterostructures. At zero gate voltage, the Hall mobility increases with decreasing temperature (20 Kless than or equal toTless than or equal to190 K) due to a
關聯:	JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
顯示於類別:	[電機工程研究所] 期刊論文

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