Analysis of Si/SiGe channel pMOSFETs for deep-submicron scaling

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題名:	Analysis of Si/SiGe channel pMOSFETs for deep-submicron scaling
作者:	Li,PW;Liao,WM
貢獻者:	電機工程研究所
關鍵詞:	MOBILITY;GATE
日期:	2002
上傳時間:	2010-07-06 18:30:51 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	Short-channel effects of Si1-xGex p-channel MOSFETs have been examined by two-dimensional computer simulation. It is found that devices incorporating SiGe channel offer worthwhile advantages in device performance and scalability. In addition to enhanced d
關聯:	SOLID-STATE ELECTRONICS
顯示於類別:	[電機工程研究所] 期刊論文

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