Investigation of InAs/GaAs quantum-dot infrared photodetector with In0.5Ga0.5P dark current blocking layer

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题名:	Investigation of InAs/GaAs quantum-dot infrared photodetector with In0.5Ga0.5P dark current blocking layer
作者:	Jiang,L;Li,SS;Yeh,NT;Chyi,JI;Tidrow,MZ
贡献者:	電機工程研究所
日期:	2002
上传时间:	2010-07-06 18:31:48 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	A novel InAs/GaAs quantum-dot infrared photodetector with an In0.5Ga0.5P dark current blocking layer for long-wavelength infrared (LWIR) detection has been developed in this work. Very low dark current densities were obtained at V-b = -0.5 V (10(-10) A/cm
關聯:	ELECTRONICS LETTERS
显示于类别:	[電機工程研究所] 期刊論文

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