Single-crystal GaN/Gd2O3/GaN heterostructure

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题名:	Single-crystal GaN/Gd2O3/GaN heterostructure
作者:	Hong,M;Kwo,J;Chu,SNG;Mannaerts,JP;Kortan,AR;Ng,HM;Cho,AY;Anselm,KA;Lee,CM;Chyi,JI
贡献者:	電機工程研究所
关键词:	GATE DIELECTRICS GD2O3;GAAS MOSFETS;GA2O3(GD2O3);OXIDE;CHANNEL;Y2O3
日期:	2002
上传时间:	2010-07-06 18:32:14 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	Heteroepitaxy of single-crystal Gd2O3 on GaN (with a wurtzite hexagonal close-packed (hcp) structure) and single-crystal GaN on Gd2O3 was achieved. In situ reflection high-energy electron diffraction reveals a sixfold symmetry in the in-plane epitaxy of t
關聯:	JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B
显示于类别:	[電機工程研究所] 期刊論文

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