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    題名: Thermal annealing effects on stimulated emission of high-indium-content InGaN/GaN single quantum well structure
    作者: Chen,CC;Hsieh,KL;Chi,GC;Chuo,CC;Chyi,JI;Chang,CA
    貢獻者: 電機工程研究所
    關鍵詞: P-TYPE GAN;CONTACT
    日期: 2002
    上傳時間: 2010-07-06 18:32:18 (UTC+8)
    出版者: 中央大學
    摘要: The optical pumping spectra of InGaN/GaN single quantum well structures with high indium content after thermal annealing were analyzed at room temperature. Redshift of the peak position in the optical pumping spectra was observed after the samples were an
    關聯: SOLID-STATE ELECTRONICS
    顯示於類別:[電機工程研究所] 期刊論文

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