Device linearity and gate voltage swing improvement by Al0.3Ga0.7As/In0.15Ga0.85As double doped-channel design

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題名:	Device linearity and gate voltage swing improvement by Al0.3Ga0.7As/In0.15Ga0.85As double doped-channel design
作者:	Chien,FT;Chiu,HC;Yang,SC;Chen,CW;Chan,YJ
貢獻者:	電機工程研究所
關鍵詞:	FET;SINGLE;BAND
日期:	2001
上傳時間:	2010-07-06 18:33:23 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	Devices DC, RF, and microwave power performances between Al0.3Ga0.7As/In0.15Ga0.85As double doped-channel FET (D-DCFETs), conventional doped-channel FETs (DCFETs) and HEMTs are compared with each other. Device linearity and power performance have been imp
關聯:	IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS
顯示於類別:	[電機工程研究所] 期刊論文

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