Improved microwave performance on low-resistivity Si substrates by Si+ ion implantation

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题名:	Improved microwave performance on low-resistivity Si substrates by Si+ ion implantation
作者:	Chen,PQ;Chan,YJ
贡献者:	電機工程研究所
关键词:	SILICON TECHNOLOGY;INDUCTORS
日期:	2000
上传时间:	2010-07-06 18:35:45 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	Microwave characteristics of spiral inductors on low-resistivity Si substrates have been improved by implanting Si-28(+), ions. Spiral inductors fabricated on these implanted substrates demonstrate better Q-value and microwave performance. The Q-value of
關聯:	IEEE TRANSACTIONS ON MICROWAVE THEORY AND TECHNIQUES
显示于类别:	[電機工程研究所] 期刊論文

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