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    题名: Improved microwave performance on low-resistivity Si substrates by Si+ ion implantation
    作者: Chen,PQ;Chan,YJ
    贡献者: 電機工程研究所
    关键词: SILICON TECHNOLOGY;INDUCTORS
    日期: 2000
    上传时间: 2010-07-06 18:35:45 (UTC+8)
    出版者: 中央大學
    摘要: Microwave characteristics of spiral inductors on low-resistivity Si substrates have been improved by implanting Si-28(+), ions. Spiral inductors fabricated on these implanted substrates demonstrate better Q-value and microwave performance. The Q-value of
    關聯: IEEE TRANSACTIONS ON MICROWAVE THEORY AND TECHNIQUES
    显示于类别:[電機工程研究所] 期刊論文

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