Photocurrent studies of the carrier escape process from InAs self-assembled quantum dots

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题名:	Photocurrent studies of the carrier escape process from InAs self-assembled quantum dots
作者:	Chang,WH;Hsu,TM;Huang,CC;Hsu,SL;Lai,CY;Yeh,NT;Nee,TE;Chyi,JI
贡献者:	電機工程研究所
关键词:	TEMPERATURE-DEPENDENCE;ELECTRONIC-STRUCTURE;STORAGE;EMISSION
日期:	2000
上传时间:	2010-07-06 18:36:19 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	We present a temperature- and bias-dependent photocurrent study of the excitonic interband transitions of InAs self-assembled quantum dots (QD's). It was found that the carrier escape process from QD's is dominated by hole escape processes. The main path
關聯:	PHYSICAL REVIEW B
显示于类别:	[電機工程研究所] 期刊論文

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