Low Schottky barrier to etched p-GaN using regrown AlInGaN and InGaN contact layer

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題名:	Low Schottky barrier to etched p-GaN using regrown AlInGaN and InGaN contact layer
作者:	Hsueh,KP;Hsin,YM;Sheu,JK
貢獻者:	電機工程研究所
關鍵詞:	HETEROJUNCTION BIPOLAR-TRANSISTORS;PLASMA;FABRICATION;DIODES;DAMAGE
日期:	2006
上傳時間:	2010-07-07 09:56:12 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	The p-type AlInGaN and InGaN contact layers were regrown on the etched p-GaN to study the Ni/Au contact current-voltage (I-V) characteristics. The thickness of the contact layer was 100 nm and regrown by metalorganic chemical vapor deposition. By using th
關聯:	JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
顯示於類別:	[電機工程研究所] 期刊論文

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