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    题名: Phosphor-free GaN-based transverse junction light emitting diodes for the generation of white light
    作者: Shi,J. -W.;Huang,H. -Y;Wang,C. -K.;Sheu,J. -K.;Lai,W. -C.;Wu,Y-S.;Chen,C. -H.;Chu,J. -T.;Kuo,H. -C.;Lin,Wei-Ping;Yang,Tsung-Hsun;Chyi,J. -I.
    贡献者: 光電科學與工程學系
    关键词: EMISSION;SI;WAVELENGTHS;LASER
    日期: 2006
    上传时间: 2010-07-07 14:10:41 (UTC+8)
    出版者: 中央大學
    摘要: We demonstrate a GaN-based phosphor-free near-white-light light-emitting-diode (LED) structure that operates in the visible wavelengths and offers broadening and flattening optical bandwidth performance. The incorporation of GaN-based dual wavelengths (bl
    關聯: IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS
    显示于类别:[光電科學與工程學系] 期刊論文

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