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    题名: Reduction of dark current in AlGaN-GaN Schottky-barrier photodetectors with a low-temperature-grown GaN cap layer
    作者: Lee,ML;Sheu,JK;Su,YK;Chang,SJ;Lai,WC;Chi,GC
    贡献者: 光電科學與工程學系
    关键词: CONTACTS;GAAS
    日期: 2004
    上传时间: 2010-07-07 14:13:26 (UTC+8)
    出版者: 中央大學
    摘要: AlGaN-GaN-based UV Schottky-barrier photodetectors with (i.e., sample A) and without (i.e., sample B) the low-temperature (LT) GaN cap layer were both fabricated. It was found that we could achieve a lower leakage current from sample A. Under reverse bias
    關聯: IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS
    显示于类别:[光電科學與工程學系] 期刊論文

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