Microstructure evolution and failure mechanism for Cu/Au Schottky contacts to InGaP layer

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題名:	Microstructure evolution and failure mechanism for Cu/Au Schottky contacts to InGaP layer
作者:	Liu,DS;Lee,CT
貢獻者:	光電科學與工程學系
關鍵詞:	INGAP/GAAS/INGAP MSM PHOTODETECTORS;THERMAL RELIABILITY;GAAS;PERFORMANCES;LASERS
日期:	2002
上傳時間:	2010-07-07 14:23:19 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	We present the microstructure evolution and failure mechanism of Cu/Au Schottky contacts to the InGaP layer using x-ray diffractometry (XRD) and transmission electron microscopy (TEM). At annealing temperatures varying from 500 to 600 degreesC for 1 min,
關聯:	JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
顯示於類別:	[光電科學與工程學系] 期刊論文

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