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    题名: Electrical properties and spectra of deep centers in GaN p-i-n rectifier structures
    作者: Polyakov,AY;Smirnov,NB;Govorkov,AV;Zhang,AP;Ren,F;Pearton,SJ;Chyi,JI;Nee,TE;Chou,CC;Lee,CM
    贡献者: 光電科學與工程學系
    关键词: VAPOR-PHASE EPITAXY;SPATIAL-DISTRIBUTION;ALGAN FILMS;SPECTROSCOPY;SCHOTTKY;TRAPS;BAND
    日期: 2001
    上传时间: 2010-07-07 14:32:50 (UTC+8)
    出版者: 中央大學
    摘要: GaN p-i-n rectifiers with 4 mum thick i-layers show typical reverse breakdown voltages of 100-600 V. We have studied the temperature dependence of current-voltage characteristics in these diodes, along with hole diffusion lengths and the deep level defect
    關聯: JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS
    显示于类别:[光電科學與工程學系] 期刊論文

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