Nonalloyed GaAs metal-semiconductor field effect transistor

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題名:	Nonalloyed GaAs metal-semiconductor field effect transistor
作者:	Lee,CT;Huang,JH;Tsai,CD
貢獻者:	光電科學與工程學系
關鍵詞:	MOLECULAR-BEAM EPITAXY;OHMIC CONTACTS;MULTIQUANTUM BARRIER;THERMAL-STABILITY;RESISTANCE;MESFET;LAYER;TEMPERATURE;INAS/INGAAS
日期:	2000
上傳時間:	2010-07-07 14:35:39 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	A novel GaAs metal-semiconductor field-effect transistor (MESFET) with Al0.25Ga0.75As/GaAs multiquantum barrier (MQB) buffer layer and narrow band InAs/graded InGaAs capping layer was demonstrated. The MQB buffer layer can improve the sidegating effect an
關聯:	SOLID-STATE ELECTRONICS
顯示於類別:	[光電科學與工程學系] 期刊論文

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