Effect of thermal annealing on Ga-doped ZnO films prepared by magnetron sputtering

NCU Institutional Repository > 研究中心 > 光電科學研究中心 > 期刊論文 > Item 987654321/35698

jsp.display-item.identifier=請使用永久網址來引用或連結此文件: http://ir.lib.ncu.edu.tw/handle/987654321/35698

题名:	Effect of thermal annealing on Ga-doped ZnO films prepared by magnetron sputtering
作者:	Sheu,J. K.;Shu,K. W.;Lee,M. L.;Tun,C. J.;Chi,G. C.
贡献者:	光電科學研究中心
关键词:	LIGHT-EMITTING-DIODES;OXIDE-FILMS;ELECTRICAL-PROPERTIES;ROOM-TEMPERATURE;OHMIC CONTACTS;PHOTOLUMINESCENCE;CONDUCTIVITY;DEPOSITION;METAL
日期:	2007
上传时间:	2010-07-07 15:49:15 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	In this study, Ga-doped ZnO (GZO) films deposited on a sapphire utilizing magnetron cosputtering method using ZnO and Ga2O3 targets were demonstrated. The results revealed that the resistivities of the GZO films reduced by at least two orders of magnitude
關聯:	JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY
显示于类别:	[光電科學研究中心] 期刊論文

文件中的档案:

档案	描述	大小	格式	浏览次数
index.html		0Kb	HTML	751	检视/开启

在NCUIR中所有的数据项都受到原著作权保护.

社群 sharing