InGaN/GaN multiple quantum well green light-emitting diodes prepared by temperature ramping

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题名:	InGaN/GaN multiple quantum well green light-emitting diodes prepared by temperature ramping
作者:	Wen,TC;Chang,SJ;Su,YK;Wu,LW;Kuo,CH;Lai,WC;Sheu,JK;Tsai,TY
贡献者:	光電科學研究中心
关键词:	BARRIER GROWTH TEMPERATURE;GAN;BLUE;SI;LAYER
日期:	2003
上传时间:	2010-07-07 15:50:09 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	High-quality InGaN/GaN multiple-quantum well (MQW) light-emitting diode (LED) structures were prepared by a temperature-ramping method during metal-organic chemical-vapor deposition (MOCVD) growth. Two photoluminescence (PL) peaks, one originating from we
關聯:	JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS
显示于类别:	[光電科學研究中心] 期刊論文

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