Nitride-based light emitting diodes with Si-doped In0.23Ga0.77N/GaN short-period superlattice tunneling contact layer

NCU Institutional Repository > 研究中心 > 光電科學研究中心 > 期刊論文 > Item 987654321/35734

請使用永久網址來引用或連結此文件: http://ir.lib.ncu.edu.tw/handle/987654321/35734

題名:	Nitride-based light emitting diodes with Si-doped In0.23Ga0.77N/GaN short-period superlattice tunneling contact layer
作者:	Kuo,CH;Chang,SJ;Su,YK;Wu,LW;Chen,JF;Shen,JK;Tsai,JM
貢獻者:	光電科學研究中心
關鍵詞:	METAL ULTRAVIOLET PHOTODETECTORS;LOW-OPERATION VOLTAGE;ALXGA1-XN/GAN SUPERLATTICES;ACCEPTOR ACTIVATION;GAN;BLUE
日期:	2003
上傳時間:	2010-07-07 15:50:15 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	The electrical properties of Si-doped n(+)-In0.23Ga0.77N/GaN SPS structure were investigated, and compared with conventional Mg-doped GaN contact layer. Temperature depend Hall measurement; showed that such a SPS structure exhibits a high sheet electron c
關聯:	IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES
顯示於類別:	[光電科學研究中心] 期刊論文

文件中的檔案:

檔案	描述	大小	格式	瀏覽次數
index.html		0Kb	HTML	582	檢視/開啟

在NCUIR中所有的資料項目都受到原著作權保護.

社群 sharing