資料載入中.....
|
請使用永久網址來引用或連結此文件:
http://ir.lib.ncu.edu.tw/handle/987654321/35736
|
| 題名: | Nitride-based near-ultraviolet multiple-quantum well light-emitting diodes with AlGaN barrier layers |
| 作者: | Kuo,CH;Chang,SJ;Su,YK;Wu,LW;Sheu,JK;Wen,TC;Lai,WC;Tsai,JM;Chen,SC |
| 貢獻者: | 光電科學研究中心 |
| 關鍵詞: | RAY PHOTOEMISSION SPECTROSCOPY;GAN;INGAN;SI;OPERATION;ALN |
| 日期: | 2003 |
| 上傳時間: | 2010-07-07 15:50:17 (UTC+8) |
| 出版者: | 中央大學 |
| 摘要: | The In0.05Ga0.95N/GaN, In0.05Ga0.95l0.1Ga0.9N, and In0.05Ga0.95L(0.18)Ga(0.82)N multiple-quantum well (MQW) light-emitting diodes (LEDs) were prepared by metal-organic chemical-vapor deposition. (MOCVD). It was found that the 20-mA electroluminescen |
| 關聯: | JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS |
| 顯示於類別: | [光電科學研究中心] 期刊論文
|
文件中的檔案:
| 檔案 |
描述 |
大小 | 格式 | 瀏覽次數 |
|---|
| index.html | | 0Kb | HTML | 767 | 檢視/開啟 |
|
在NCUIR中所有的資料項目都受到原著作權保護.
|
