InGaN/GaN light emitting diodes activated in O-2 ambient

NCU Institutional Repository > 研究中心 > 光電科學研究中心 > 期刊論文 > Item 987654321/35758

jsp.display-item.identifier=請使用永久網址來引用或連結此文件: http://ir.lib.ncu.edu.tw/handle/987654321/35758

题名:	InGaN/GaN light emitting diodes activated in O-2 ambient
作者:	Kuo,CH;Chang,SJ;Su,YK;Chen,JF;Wu,LW;Sheu,JK;Chen,CH;Chi,GC
贡献者:	光電科學研究中心
关键词:	P-TYPE GAN;CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION;MG;CONTACT;OXYGEN;FILMS
日期:	2002
上传时间:	2010-07-07 15:50:41 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	Mg-doped GaN epitaxial layers were annealed in pure O-2 and pure N-2. It was found that we could achieve a low-resistive p-type GaN by pure O-2 annealing at a temperature as low as 400 degreesC. With a 500 degreesC annealing temperature, it was found that
關聯:	IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS
显示于类别:	[光電科學研究中心] 期刊論文

文件中的档案:

档案	描述	大小	格式	浏览次数
index.html		0Kb	HTML	695	检视/开启

在NCUIR中所有的数据项都受到原著作权保护.

社群 sharing