Characterization of p-type InxGa1-xN grown by metalorganic chemical vapor deposition

NCU Institutional Repository > 研究中心 > 光電科學研究中心 > 期刊論文 > Item 987654321/35780

請使用永久網址來引用或連結此文件: http://ir.lib.ncu.edu.tw/handle/987654321/35780

題名:	Characterization of p-type InxGa1-xN grown by metalorganic chemical vapor deposition
作者:	Wen,TC;Lee,WI;Sheu,JK;Chi,GC
貢獻者:	光電科學研究中心
關鍵詞:	MG;GAN
日期:	2001
上傳時間:	2010-07-07 15:51:02 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	This study investigates the electrical and optical characteristics of Mg-doped InxGa1-xN grown by metalorganic chemical vapor deposition. All the Mg-doped InxGa1-xN layers show p-type conduction after thermal annealing. Room temperature (RT) carrier conce
關聯:	SOLID-STATE ELECTRONICS
顯示於類別:	[光電科學研究中心] 期刊論文

文件中的檔案:

檔案	描述	大小	格式	瀏覽次數
index.html		0Kb	HTML	771	檢視/開啟

在NCUIR中所有的資料項目都受到原著作權保護.

社群 sharing