Characterization of the properties of Mg-doped Al0.15Ga0.85N/GaN superlattices

NCU Institutional Repository > 研究中心 > 光電科學研究中心 > 期刊論文 > Item 987654321/35782

jsp.display-item.identifier=請使用永久網址來引用或連結此文件: http://ir.lib.ncu.edu.tw/handle/987654321/35782

题名:	Characterization of the properties of Mg-doped Al0.15Ga0.85N/GaN superlattices
作者:	Sheu,JK;Kuo,CH;Chen,CC;Chi,GC;Jou,MJ
贡献者:	光電科學研究中心
关键词:	INDIUM TIN OXIDE;LIGHT-EMITTING-DIODES;P-TYPE GAN;LUMINESCENCE;BAND
日期:	2001
上传时间:	2010-07-07 15:51:05 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	Low resistivity Mg-doped Al0.15Ga0.85N/GaN strained-layer superlattices (SLs) were grown. In these SLs, the maximum hole concentration is 3 x 10(18) cm(-3) at room temperature, i.e., larger than those for Mg-doped Al0.15Ga0.85N and GaN bulk layers with th
關聯:	SOLID-STATE ELECTRONICS
显示于类别:	[光電科學研究中心] 期刊論文

文件中的档案:

档案	描述	大小	格式	浏览次数
index.html		0Kb	HTML	862	检视/开启

在NCUIR中所有的数据项都受到原著作权保护.

社群 sharing