Enhanced output power in an InGaN-GaN multiquantum-well light-emitting diode with an InGaN current-spreading layer

NCU Institutional Repository > 研究中心 > 光電科學研究中心 > 期刊論文 > Item 987654321/35784

請使用永久網址來引用或連結此文件: http://ir.lib.ncu.edu.tw/handle/987654321/35784

題名:	Enhanced output power in an InGaN-GaN multiquantum-well light-emitting diode with an InGaN current-spreading layer
作者:	Sheu,JK;Chi,GC;Jou,MJ
貢獻者:	光電科學研究中心
日期:	2001
上傳時間:	2010-07-07 15:51:07 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	InGaN-GaN multiple quantum-well (MQW) light-emitting diodes (LEDs) with InGaN current-spreading layer were grown by metal-organic vapor-phase epitaxy (MOVPE) and their characteristics were evaluated by current-voltage (I - V), as well as output power meas
關聯:	IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS
顯示於類別:	[光電科學研究中心] 期刊論文

文件中的檔案:

檔案	描述	大小	格式	瀏覽次數
index.html		0Kb	HTML	749	檢視/開啟

在NCUIR中所有的資料項目都受到原著作權保護.

社群 sharing