Microstructural evolution in a multiple composite layer of GaN on sapphire by organometallic vapor phase epitaxy

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题名:	Microstructural evolution in a multiple composite layer of GaN on sapphire by organometallic vapor phase epitaxy
作者:	Yang,CC;Wu,MC;Lee,CH;Chi,GC
贡献者:	光電科學研究中心
关键词:	BUFFER LAYER;FILMS;DEPOSITION
日期:	2000
上传时间:	2010-07-07 15:51:15 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	Using cross-section transmission electron microscopy and grazing incidence x-ray diffraction measurements, this work investigates the defect reduction in a wurtize GaN thin film with a multiple composite layer grown by atmospheric-pressure organometallic
關聯:	JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
显示于类别:	[光電科學研究中心] 期刊論文

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