Optical properties in InGaN/GaN multiple quantum wells and blue LEDs

NCU Institutional Repository > 研究中心 > 光電科學研究中心 > 期刊論文 > Item 987654321/35794

jsp.display-item.identifier=請使用永久網址來引用或連結此文件: http://ir.lib.ncu.edu.tw/handle/987654321/35794

题名:	Optical properties in InGaN/GaN multiple quantum wells and blue LEDs
作者:	Su,YK;Chi,GC;Sheu,JK
贡献者:	光電科學研究中心
关键词:	LIGHT-EMITTING DIODES;GAN;LASER
日期:	2000
上传时间:	2010-07-07 15:51:17 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	InGaN/GaN multiple quantum wells (MQW) and blue MQW light-emitting diodes were grown by metalorganic vapor phase epitaxy (MOVPE), Band gap narrowing of the PL spectra for the InGaN/GaN MQW LEDs can be observed at room temperature. In addition, the emissio
關聯:	OPTICAL MATERIALS
显示于类别:	[光電科學研究中心] 期刊論文

文件中的档案:

档案	描述	大小	格式	浏览次数
index.html		0Kb	HTML	991	检视/开启

在NCUIR中所有的数据项都受到原著作权保护.

社群 sharing