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    题名: Room-temperature electroluminescence at 1.3 and 1.5 mu m from Ge/Si self-assembled quantum dots
    作者: Chang,WH;Chou,AT;Chen,WY;Chang,HS;Hsu,TM;Pei,Z;Chen,PS;Lee,SW;Lai,LS;Lu,SC;Tsai,MJ
    贡献者: 物理研究所
    关键词: CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION;MOLECULAR-BEAM EPITAXY;HUT CLUSTERS;WAVE-GUIDES;PHOTOLUMINESCENCE;SI;OPERATION
    日期: 2003
    上传时间: 2010-07-08 13:35:21 (UTC+8)
    出版者: 中央大學
    摘要: Room-temperature electroluminescence at 1.3 and 1.5 mum from Ge/Si quantum-dot light-emitting diodes is reported. The devices were fabricated in a mesa-type structure, with a silicon oxide layer on the top for surface/sidewall passivation. Different passi
    關聯: APPLIED PHYSICS LETTERS
    显示于类别:[物理研究所] 期刊論文

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