Room temperature study of low temperature grown Al0.3Ga0.7As/GaAs multiple quantum wells by modulation reflectance

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題名:	Room temperature study of low temperature grown Al0.3Ga0.7As/GaAs multiple quantum wells by modulation reflectance
作者:	Lai,CY;Hsu,TM;Lin,CL;Wu,CC;Lee,WC
貢獻者:	物理研究所
關鍵詞:	DELTA-DOPED GAAS;FAST FOURIER TRANSFORMATION;FRANZ-KELDYSH OSCILLATIONS;III-V MATERIALS;ELECTROMODULATION REFLECTANCE;INTERDIFFUSION;DIFFUSION;AL;SUPERLATTICES;KINETICS
日期:	2000
上傳時間:	2010-07-08 13:42:02 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	We studied the subband energy levels in AlGaAs/GaAs multiple quantum wells grown at different temperatures (200-600 degrees C) by using the piezoreflectance and photoreflectance in room temperature. Under subsequent 30 s rapid-thermal annealing at differe
關聯:	JOURNAL OF APPLIED PHYSICS
顯示於類別:	[物理研究所] 期刊論文

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