以三族氮化物為材料用於藍綠光和紫外光通信之光電和電子元件---子計畫三:高速氮化鎵/氮化鋁鎵高電子移導率電晶體於毫米波積體電路與光電積體電路之應用(I); High Speed AlGaN/GaN HEMTs for MMIC and OEIC Application (I)

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Title:	以三族氮化物為材料用於藍綠光和紫外光通信之光電和電子元件---子計畫三:高速氮化鎵/氮化鋁鎵高電子移導率電晶體於毫米波積體電路與光電積體電路之應用(I);High Speed AlGaN/GaN HEMTs for MMIC and OEIC Application (I)
Authors:	詹益仁
Contributors:	電機工程系
Keywords:	材料科技;光電工程
Date:	2005-07-01
Issue Date:	2010-11-30 17:02:32 (UTC+8)
Publisher:	行政院國家科學委員會
Abstract:	此計畫預計在三年內發展出兼具高速及高功率的氮化鋁鎵/氮化鎵高電子移導率場效電晶體(AlGaN/GaN HEMT)並分別應用於Ka-頻段的單石微波積體電路(MMIC)以及 500nm 藍綠光頻段的用於塑膠光纖通信的光電整合積體電路(OEIC)。首先第一年我們將開發應用在AlGaN/GaN HEMT 的閘極掘入技術(gate recess technology)和0.2 微米的T 型閘極技術，以製作出兼具高速和高功率的AlGaN/GaN HEMT 元件。爾後我們將開發元件的大訊號非線性模型，以提供第二年的微波通訊用的功率放大器(power amplifier, PA) 及低雜訊放大器(low noise amplifier, LNA)和光通訊用的轉阻放大器(transimpedance amplifier, TIA)的設計與製作。第三年我們將進一步發展在500nm 塑膠光纖通信用頻段，以氮化銦鎵(InGaN) 為吸收層的p-i-n 光偵測器或金屬- 半導體- 金屬 (metal-semiconductor-meta, MSM)的光偵測器加上AlGaN/GaN HEMT 元件製作出的TIA 進行OEIC 的整合。此外配合子計畫一所發展出的500nm 行進式光偵測器(traveling wave photodetector, TWPD)，我們亦同步發展TWPD 和TIA 的集成光電整合電路(hybrid OEIC)，以提升OEIC 的速度和功率之表現。研究期間：9308 ~ 9407
Relation:	財團法人國家實驗研究院科技政策研究與資訊中心
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