摻雜過渡元素之AZO薄膜製作、微結構分析及其腐蝕特性研究---總計畫; On the Preparation, Microanalysis and the Corrosion Characteristics of the AZO Films Doped with Transition Elements.

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題名:	摻雜過渡元素之AZO薄膜製作、微結構分析及其腐蝕特性研究---總計畫;On the Preparation, Microanalysis and the Corrosion Characteristics of the AZO Films Doped with Transition Elements.
作者:	林景崎;李勝隆;林招松
貢獻者:	機械工程學系
關鍵詞:	材料科技
日期:	2006-07-01
上傳時間:	2010-12-06 15:09:49 (UTC+8)
出版者:	行政院國家科學委員會
摘要:	鋅、鋁蘊含量豐富，價格相對低廉，同時不具毒性，AZO(Aluminum doped zinc oxide) 遂成為極具前瞻性的透明導電膜。純ZnO 因能帶較寬，是優良的光學材料，因其電阻率太高，在導電膜應用上，需改質為non-stoichimetric ZnO 或藉由摻雜其他元素來增加其導電率，AZO 雖具有良好的光電特性，但相較於InO:Sn (ITO)，AZO 的主要組成ZnO 為兩性氧化物，易受到酸和鹼的侵蝕，其蝕刻特性明顯有別於ITO，即AZO 在酸、鹼中穩定性差，蝕刻速率過快，增加蝕刻製程控制的困難，為改善前述的缺點嘗試摻雜過渡元素之AZO 薄膜製作、微結構分析及其腐蝕特性研究可行性評估。本總計畫「摻雜過渡元素之AZO 薄膜製作、微結構分析及其腐蝕特性研究」主要在進行整合四個子計畫，以便深入探討：靶材熔煉/靶材結構特性/濺鍍製程參數/鍍膜微結構特性/拋光蝕刻參數/蝕刻特性/拋光表面特性等發展AZO 薄膜之關鍵技術。內容包括以下四個子計畫：(1)濺鍍AZO 薄膜所需含微量過渡元素(Sc 為主)金屬合金鋁靶材之研發；(2)以非對稱雙極直流脈衝磁控濺鍍法製作摻雜過渡元素之AZO 薄膜；(3)摻雜過渡元素於透明導電AZO 薄膜後之微結構解析；(4)摻雜過渡元素於透明導電AZO 薄膜後之腐蝕特性研究。分別在各別子計畫的深入研究，以及經由總計畫的統合，加強科技整合效果，增進研究團隊的研發層面與深度，培養全方位的光電材料人才，並促進國內導電陶瓷薄膜材料工業之發展。研究期間：9408 ~ 9507
關聯:	財團法人國家實驗研究院科技政策研究與資訊中心
顯示於類別:	[機械工程學系] 研究計畫

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