覆晶凸塊金屬墊層之電遷移研究; Electromigration Study on Flip-Chip Metal Bond Pad

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題名:	覆晶凸塊金屬墊層之電遷移研究;Electromigration Study on Flip-Chip Metal Bond Pad
作者:	劉正毓
貢獻者:	化學工程與材料工程學系
關鍵詞:	覆晶封裝;無鉛銲料;材料科技
日期:	2007-07-01
上傳時間:	2010-12-21 16:20:02 (UTC+8)
出版者:	行政院國家科學委員會
摘要:	隨著IC尺寸縮小的發展與可靠度提升的要求，為容納更高密度的I/O（Input/Output）數目在IC的晶片上。未來覆晶的金屬墊層（pad）與銲料凸塊（solder bump）尺寸將大幅縮小，電遷移效應是日趨重要的課題。電遷移的失效是指材料或元件因受電遷移效應而產生斷路或訊號傳遞功能喪失之現象。我們從文獻的研究中發現，在相當大的電流密度下(104amp/cm2)，電遷移失效模式已經被探討。其中最重要的失效模式為受電遷移效應而誘發陰極端導線或金屬墊層產生溶解的現象。過去在覆晶的金屬墊層上，銅主要用在IC chip端的金屬墊層，銅墊層的電遷移現象已被廣泛研究，而在板端的金屬墊層則以Ni為主要金屬墊層，但Ni因為電遷移而導致之溶解行為卻沒有被探討。因此，本研究目的在於觀察高電流密度通過不同無鉛銲錫成份(純錫、錫銅)接點時，造成Ni金屬墊層消耗的現象，並找出能抗電遷移的因素。並試圖以不同厚度之Cu/Ni bi-layer金屬墊層，與銲錫接合後，進行高電流密度及高溫的通電實驗，以研究Ni墊層之電遷移行為，以及發展出一最能抗電遷移的覆晶封裝之金屬墊層。研究期間：9508 ~ 9607
關聯:	財團法人國家實驗研究院科技政策研究與資訊中心
顯示於類別:	[化學工程與材料工程學系 ] 研究計畫

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