氮化物與氧化物半導體奈米結構之製備與應用; Preparation and Applications of Nitride and Oxide Semiconductor Nanostructures

NCU Institutional Repository > 研究中心 > 光電科學研究中心 > 研究計畫 > Item 987654321/45742

jsp.display-item.identifier=請使用永久網址來引用或連結此文件: http://ir.lib.ncu.edu.tw/handle/987654321/45742

题名:	氮化物與氧化物半導體奈米結構之製備與應用;Preparation and Applications of Nitride and Oxide Semiconductor Nanostructures
作者:	綦振瀛
贡献者:	光電科學研究中心
关键词:	光電工程
日期:	2008-07-01
上传时间:	2010-12-28 15:18:04 (UTC+8)
出版者:	行政院國家科學委員會
摘要:	奈米科技應用層面廣泛，己成為全球各國改府致力發展的重點科技項目。本計畫之目標即在於發展新穎的氮化物、氧化物半導體奈米結構，以應用於高亮度發光二極體、雷射二極體、單光子發射器、高效率太陽電池。更具體地說，就是利用有機金屬氣相磊晶法成長氮化鎵奈米柱，再形成易於基板分離的氮化鎵厚膜，以供高亮度發光二極體及雷射之用; 成長氮化銦量子點以供長波長單子發射器及高效率太陽電池之用。我們也將建立一分子束磊晶系統並用以發展非常新穎的硒氧化鋅材料，這個材料極具潛力可以製作成室溫操作之量子點單光子發射器及高效率量子點太陽電池。研究期間：9608 ~ 9707
關聯:	財團法人國家實驗研究院科技政策研究與資訊中心
显示于类别:	[光電科學研究中心] 研究計畫

文件中的档案:

档案	描述	大小	格式	浏览次数
index.html		0Kb	HTML	584	检视/开启

在NCUIR中所有的数据项都受到原著作权保护.

社群 sharing