Ka/V頻段多重輸入輸出收發機晶片模組之研製; Design and Implementation of Ka/V Band Multi-Input Multi-Output Transceiver

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題名:	Ka/V頻段多重輸入輸出收發機晶片模組之研製;Design and Implementation of Ka/V Band Multi-Input Multi-Output Transceiver
作者:	邱煥凱
貢獻者:	電機工程學系
關鍵詞:	多重輸入輸出;毫米波頻段收發機;晶片型天線陣列;毫米波電子機構;multi input multi output;millimeter wave transceiver;chip antenna array;mm-wave electric equipment;電信工程
日期:	2008-07-01
上傳時間:	2010-12-28 15:54:09 (UTC+8)
出版者:	行政院國家科學委員會
摘要:	本計劃分成三年來研究毫米波頻段多重輸入輸出收發機之各關鍵元件。第一年為設計28 GHz CMOS 0.18-μm 毫米波多重輸入輸出收發機電路，第二年為量測28 GHz 收發模組、開始設計57 GHz CMOS 0.13-μm 與pHEMT 0.15-μm 之毫米波多重輸入輸出收發機模組，且設計多重輸入輸出晶片型天線系統，第三年為繼續設計量測第二年的計畫內容之電路，並利用毫米波電子機構組裝設計完成(mm-wave electric equipment)次系統模組(module)。為期三年計劃的主要目標在發展應用於毫米波頻段多重輸入輸出收發機之關鍵元模組(SOP)，而收發機架構將以超外差式昇、降頻模式。收發機架構依信號傳收之途徑，可區分為接收器、發射器及晶片天線系統。接收器之主要組成電路為低雜訊放大器、次諧調混頻器、本地振盪源、鎖相迴路，發射鏈路主要為昇頻次諧調混頻器、推動放大器、倍頻器與功率放大器，天線規劃主要包含晶片天線陣列、可適性移相器、射頻切換開關、毫米波電子機構。以上電路將使用國內台積電公司提供之0.18-μm、0.13-μm 金氧半場效高電子遷移率電晶體與穩懋公司提供之0.15-μm 砷化銦鎵電晶體來完成。研究期間：9608 ~ 9707
關聯:	財團法人國家實驗研究院科技政策研究與資訊中心
顯示於類別:	[電機工程學系] 研究計畫

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