English  |  正體中文  |  简体中文  |  全文筆數/總筆數 : 78728/78728 (100%)
造訪人次 : 33347993      線上人數 : 541
RC Version 7.0 © Powered By DSPACE, MIT. Enhanced by NTU Library IR team.
搜尋範圍 查詢小技巧:
  • 您可在西文檢索詞彙前後加上"雙引號",以獲取較精準的檢索結果
  • 若欲以作者姓名搜尋,建議至進階搜尋限定作者欄位,可獲得較完整資料
  • 進階搜尋


    請使用永久網址來引用或連結此文件: http://ir.lib.ncu.edu.tw/handle/987654321/48210


    題名: 氧硒化鋅合金的能隙結構;Band gap structure of ZnSeO alloys
    作者: 賴麒文;Chiwen Lai
    貢獻者: 物理研究所
    關鍵詞: 氧硒化鋅;ZnSeO
    日期: 2011-07-05
    上傳時間: 2012-01-05 14:41:17 (UTC+8)
    摘要: 本論文利用光調製反射光譜與光激發螢光光譜來分析氧硒化鋅合金的直接能隙,氧濃度為0~0.07。在室溫下,能隙隨著氧濃度上升會大幅度地縮小,此結果符合能帶互斥理論。在溫度150~300K的範圍內,由能帶互斥理論推算出的氧濃度與X光繞射實驗的結果相近。然而,在低溫10~150K的範圍內,出現了能隙隨溫度變化趨勢增大的現象,變化趨勢往主材料硒化鋅接近,而偏離了能帶互斥理論。實驗結果在低溫偏離能帶互斥理論的現象,可能與氧硒化鋅合金之局域態特性所造成的影響有關。 This thesis mainly focuses on the direct band gap analysis of ZnSe1-xOx alloys (x=0~0.07) through photoreflectance (PR) spectroscopy and photoluminescence (PL) spectroscopy. The band gap of alloys decreases significantly with increasing oxygen concentration at room temperature, which agrees with the band anticrossing model (BAC). In higher temperature range (150~300K), the BAC model well predicts the oxygen concentration which consists with experimental results under X-Ray diffraction (XRD) examination. However, when the temperature is under 150K, BAC model underestimates the drastic band gap tendency which is closer to the behavior of the host material ZnSe. This deviation from BAC model may associate with the localized state properties of ZnSe1-xOx alloys.
    顯示於類別:[物理研究所] 博碩士論文

    文件中的檔案:

    檔案 描述 大小格式瀏覽次數
    index.html0KbHTML682檢視/開啟


    在NCUIR中所有的資料項目都受到原著作權保護.

    社群 sharing

    ::: Copyright National Central University. | 國立中央大學圖書館版權所有 | 收藏本站 | 設為首頁 | 最佳瀏覽畫面: 1024*768 | 建站日期:8-24-2009 :::
    DSpace Software Copyright © 2002-2004  MIT &  Hewlett-Packard  /   Enhanced by   NTU Library IR team Copyright ©   - 隱私權政策聲明