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    题名: Precise Ge quantum dot placement for quantum tunneling devices
    作者: Chen,KH;Chien,CY;Li,PW
    贡献者: 電機工程學系
    日期: 2010
    上传时间: 2012-03-28 10:12:25 (UTC+8)
    出版者: 國立中央大學
    摘要: This study demonstrates the precise placement of Ge quantum dots (QDs) in an SiO(2) or Si(3)N(4) matrix in a self-organized manner by thermally oxidizing SiGe in nanostructures. The effectiveness of this method is shown by a variety of geometries including nanotrenches, nanorods and polygonal nanocavities. Modulating the structural geometry and peripheral spacer materials effectively places a single Ge QD in the center of an oxidized SiGe nanostructure or individual QDs at the corners (edges). This study also reports the fabrication of Ge QD single-electron devices that exhibit clear Coulomb staircases and differential conductance oscillations at room temperature.
    關聯: NANOTECHNOLOGY
    显示于类别:[電機工程學系] 期刊論文

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