0.98微米砷化鎵銦/砷化鎵/磷化鎵銦/應力層疊量子井雷射二極體之研製;Epitaxial Growth and Fabrication of 0.98.mu.m InGaAs/GaAs/InGaP Strained-Layer Quantum Well Laser

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題名:	0.98微米砷化鎵銦/砷化鎵/磷化鎵銦/應力層疊量子井雷射二極體之研製;Epitaxial Growth and Fabrication of 0.98.mu.m InGaAs/GaAs/InGaP Strained-Layer Quantum Well Laser
作者:	李清庭
貢獻者:	中央大學光電科學研究所
關鍵詞:	光電工程;摻鉺光纖放大器;應力量子井雷射;低壓有機金屬氣相磊晶;砷化鎵銦;雷射二極體;Erbium-doped fiber amplifiers;Strained-layer quantum well laser;Low-pressuremetal-organic vaper epitaxy;Aluminum gallium arsenide;Laser diode
日期:	1995-09-01
上傳時間:	2012-10-01 14:59:37 (UTC+8)
出版者:	行政院國家科學委員會
摘要:	由於摻鉺光纖光放大器具有高增益、低雜訊、偏振無關等放大特性,所以在長距離光纖通信上的應用價值日趨重要.摻鉺光纖的泵激波長可以是沒有激態吸收的0.98微米或1.48微米, 以0.98微米砷化鎵銦/砷化鎵雷射做泵激光源的主要原因是它具有高泵激效率、低雜訊和對溫度較不敏感等優點.最近在砷化鎵銦/砷化鎵應力量子井雷射的發展相當快速,利用磷化鎵銦取代砷化鋁鎵作為覆蓋層預期在製造過程中與雷射操作時,可以免除由於鋁的氧化而造成的元件退化等問題.本計畫的目的即以低壓有機金屬氣相磊晶技術成長波長0.98微米之砷化鎵銦/砷化鎵/磷化鎵銦應力量子井半導體雷射材料,並研製成脊狀波導結構,以提昇國內在光纖通訊元件的研究基礎與製作能力. ; 研究期間 8308 ~ 8407
關聯:	財團法人國家實驗研究院科技政策研究與資訊中心
顯示於類別:	[光電科學研究所] 研究計畫

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