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    題名: 斜向入射干涉儀之研究
    作者: 張明文
    貢獻者: 中央大學光電科學研究所
    關鍵詞: 光電工程;干涉儀;粗糙度測量;全像光學元件;Interferometer;Roughness measurement;Holographic optical elements
    日期: 1995-09-01
    上傳時間: 2012-10-01 14:59:45 (UTC+8)
    出版者: 行政院國家科學委員會
    摘要: 我們在發展鑽石研磨機時,必須量測大型元 件表面的粗糙度來作為改善的依據,但是傳統 上量測粗糙度所使用的探針輪廓儀(Stylus profiler)的量測範圍不夠大,而且大型元件很難直接置入輪廓儀作量測,所以輪廓儀不適用於 大型元件粗糙度的量測,同時這種接觸式的量 測也容易損傷元件表面;若另行採用量測反射 率(Specular reflectance)以間接求出粗糙度的非接 觸量測方式,雖然足以避免元件表面的損傷,但 是在實際檢測上非常不方便,同時也只能就幾 個點作粗糙度的量測,存在一定的量測誤差;而 在1974年所發表的斜向入射干涉儀(Oblique-incident interferometer)也是一種非接觸的量 測方法,不但體積小,而且可以由干涉條紋直接 求出量測區域中粗糙度的大小與分布,於是此 干涉儀可以直接置於元件上作量測,達到線上 檢測粗糙度的需求.在本研究計畫中,我們除了 引入且經完美拋光的樣品作為參考面,並藉此 面的反射光作為參考光,取代了原使用的零級 繞射光的功能,於是這種新的架構有二個優美: (1)可應用PZT驅動參考面,使相位重建的工作得 以自動化;(2)可選擇最接近待測面曲率的參考 面,以得到適當的干涉條紋的間距.並基於我們 研究全像光學元件(HOEs)的經驗,我們將自行設 計、製作與測試所需要的光柵元件,完成斜向入射干涉儀的建立與量測. ; 研究期間 8308 ~ 8407
    關聯: 財團法人國家實驗研究院科技政策研究與資訊中心
    顯示於類別:[光電科學研究所] 研究計畫

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