銦錫氧化物之透明導電膜的製作及其特性研究;Fabrication and Characterization of Indium-Tin-Oxide Films

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題名:	銦錫氧化物之透明導電膜的製作及其特性研究;Fabrication and Characterization of Indium-Tin-Oxide Films
作者:	陳培麗
貢獻者:	中央大學光電科學研究所
關鍵詞:	光電工程;電漿輔助化學氣相沈積法;銦錫氧化物;透明導電薄膜;PECVD;ITO;Transparent conducting film
日期:	1996-09-01
上傳時間:	2012-10-01 15:00:13 (UTC+8)
出版者:	行政院國家科學委員會
摘要:	本研究係採用陰極電弧電漿沉積法成長鑽石薄膜.在高密度石墨靶材後方加裝一組強度約為 3000 Gauss 銣鐵錋環形磁鐵,電弧點的運動速率可高達 10- 18cm/sec.本研究主要探討以下各製程參數:氧氣含量百分比 ( O2/(Ar+O2) )、基板偏壓( RF及 DC 偏壓)、基板溫度等,對於沉積膜層特性的影響.由各種分析結果顯示,基板負偏壓( RF 與 DC )皆有助於薄膜中C-sp3/C-sp2 比例及附著力之提高,但 RF 偏壓之效果仍較 DC偏壓為佳.若再加入氧氣,更可明顯地提高 C-sp3/C-sp2 之比例及降低薄膜表面之微粒尺寸及數量,使得薄膜表面之平均粗糙度(Ra 值)可低達 40.當氧氣含量達 100%時,可成長可見光區之透光率高達 91 □%,且電阻高達 7*109.OMEGA.cm 的鑽石薄膜. ; 研究期間 8408 ~ 8507
關聯:	財團法人國家實驗研究院科技政策研究與資訊中心
顯示於類別:	[光電科學研究所] 研究計畫

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