本論文為探討使用含石墨烯加工液對多晶矽進行電化學表面磨削加工特性之研究，研究架構共分成三大部份，第一部份為建置實驗設備與初期加工液濃度比較及實驗結果確認，過程中重複驗證及確保實驗結果的正確性與重現性。第二部份為由前所得之實驗結果做為加工參數基準，後續進行不同加工機制實驗，以了解加工特性之影響趨勢，並藉由電化學磨削加工之特性，進而得到較佳表面粗糙度之加工參數。第三部份則由電化學磨削實驗所得之實驗結果做進一步優化，於加工液中添加石墨烯進行表面粗糙度改善實驗，由實驗過程中發現添加石墨烯後其加工時，可平均分散至加工表面達到磨削去除之效果，相較於傳統機械磨削製程，則可得較好之表面粗糙度。 本論文研究結果得知，在相同實驗參數下，傳統機械磨削製程之表面粗糙度為0.092μm，平均摩擦係數為0.33μ，而KOH加工液添加石墨烯0.5%後，表面粗糙度為0.051μm，平均摩擦係數為0.10μ，其表面粗糙度相較於傳統機械磨削製程改善1.8倍，摩擦係數改善3.3倍。於摩擦力驗證實驗中可得知，加入石墨烯後因其材料優越的磨潤性，可使摩擦係數減少並且同時改善表面粗糙度。經由本研究可證實，在加工液中添加石墨烯可改善磨削表面粗糙度並可同時將加工摩擦力降低，其研究成果可應用於矽晶圓磨削製程，使得該製程簡化並提升加工效益，期望藉由此論文之研究成果作為產學界之應用參考。 ;There are some conclusions gotten from the experiment. The surface roughness and average friction coefficient are 0.092μm and 0.33μ by traditional mechanical grinding process; the surface roughness and average friction coefficient are 0.051μm and 0.10μ by adding 0.5% graphene into solution. The latter surface roughness and friction coefficient is 1.8 times and 3.3 times compared to the former. The research shows that the tribological properties of graphene reduce the friction coefficient of solution and improve the surface roughness on workpiece. The research can be applied to grinding process of silicon wafer. The method can not only simplify the experiment steps but also enhance the process efficiency. The research is expected to be an application reference for industry and academic area.
