中大機構典藏-NCU Institutional Repository-提供博碩士論文、考古題、期刊論文、研究計畫等下載:Item 987654321/75174
English  |  正體中文  |  简体中文  |  全文筆數/總筆數 : 78852/78852 (100%)
造訪人次 : 37801088      線上人數 : 1164
RC Version 7.0 © Powered By DSPACE, MIT. Enhanced by NTU Library IR team.
搜尋範圍 查詢小技巧:
  • 您可在西文檢索詞彙前後加上"雙引號",以獲取較精準的檢索結果
  • 若欲以作者姓名搜尋,建議至進階搜尋限定作者欄位,可獲得較完整資料
  • 進階搜尋


    請使用永久網址來引用或連結此文件: http://ir.lib.ncu.edu.tw/handle/987654321/75174


    題名: 奈米球鏡微影術應用於奈米光電元件之研製;Fabrication of Nanoscale Optoelectronics Devices using Nanospherical-Lens Lithography
    作者: 周孟誠;Chou, Meng-Cheng
    貢獻者: 光電科學與工程學系
    關鍵詞: 光電元件;奈米球;奈米球鏡微影術
    日期: 2017-07-06
    上傳時間: 2017-10-27 17:17:24 (UTC+8)
    出版者: 國立中央大學
    摘要: 在本研究中,我們利用奈米球鏡微影術(nanosphere-lens lithography )與二次蝕刻技術製作氮化鎵(GaN)發光二極體(LED)奈米柱(nanorod)陣列。奈米球鏡微影術能以低成本的方式製作大面積的奈米結構陣列,不需要使用昂貴的電子束微影製程(E-beam Lithography)、極紫外線(Extreme Ultraviolet, EUV)的黃光微影製程。除了成本低廉之外,許多研究團隊發現奈米結構會影響氮化鎵發光二極體的光電特性,例如偏振方向,奈米柱的幾何形狀與量子井發光的偏振方向有密切的關係。;Gallium nitride (GaN) nano-rod light emitting diodes (LEDs) have been an attractive research topic because of their enhanced light extraction efficiencies and other unique electro-optical properties. In this project, we fabricate GaN nano-rod LED arrays with nanosphere-lens lithography (NLL) and a two-step etching technique. The NLL technology is a low-cost approach to fabricate large-area nanostructure arrays, without resorting to expensive facilities, e.g. e-beam lithography and extreme ultraviolet (EUV) lithography process.
    顯示於類別:[光電科學研究所] 博碩士論文

    文件中的檔案:

    檔案 描述 大小格式瀏覽次數
    index.html0KbHTML259檢視/開啟


    在NCUIR中所有的資料項目都受到原著作權保護.

    社群 sharing

    ::: Copyright National Central University. | 國立中央大學圖書館版權所有 | 收藏本站 | 設為首頁 | 最佳瀏覽畫面: 1024*768 | 建站日期:8-24-2009 :::
    DSpace Software Copyright © 2002-2004  MIT &  Hewlett-Packard  /   Enhanced by   NTU Library IR team Copyright ©   - 隱私權政策聲明