負電容場效電晶體於超低功耗應用之研究與分析 ;Investigation and Analysis of Negative Capacitance Fets for Ultra-Low Power Applications

NCU Institutional Repository > 資訊電機學院 > 電機工程學系 > 研究計畫 > Item 987654321/76259

請使用永久網址來引用或連結此文件: http://ir.lib.ncu.edu.tw/handle/987654321/76259

題名:	負電容場效電晶體於超低功耗應用之研究與分析;Investigation and Analysis of Negative Capacitance Fets for Ultra-Low Power Applications
作者:	胡璧合
貢獻者:	國立中央大學電機工程學系
關鍵詞:	電子電機工程;負電容場效電晶體;邏輯電路;變異度;可靠度;鐵電材料;Negative capacitance FET (NCFET);Logic;Variability;Reliability;Ferroelectric layer
日期:	2018-08-01
上傳時間:	2018-05-02 17:19:21 (UTC+8)
出版者:	科技部
摘要:	在此計晝中，我們將對負電容場效電晶體及其邏輯電路，包含靜態及動態邏輯電路，其元件及電路的變異度及可靠度進行全面性的分析及研究。我們將研究鐵電層(Ferroelectric layer) 的材料參數，包含剩餘極化(Remanent polarization)、橋頑電場(Coercive electric field)及鐵電層厚度，對負電容場效電晶體及邏輯電路之影響。我們也將研究鐵電材料搭配不同的元件結構，如平面式場效電晶體、超薄層場效電晶體及鮨狀場效電晶體的元件及電路特性。本質製程變異度將考慮隨機摻雜擾動(Random dopant fluctuation)、線邊緣粗糙(Line-Edge-Roughness)及功函數變異(Work Function Variation)，對元件及邏輯電路的影響。可靠度將研究隨機電報雜訊 (Random telegraph noise)的影響。在第一年裡，我們將建立負電容場效電晶體的數值模擬架構; 接著在第二年，我們將延伸第一年的模擬架構，利用查找表(lookup table)的Verilog-A模型，建立負電容場效電晶體的電路模擬架構。第三年將發展適用於超低功耗的可容忍變異度及可靠度(Variability and reliability-tolerant)的負電容場效電晶體元件及電路共同設計，以提升負電容場效電晶體的能量效率(Energy efficiency)。
關聯:	財團法人國家實驗研究院科技政策研究與資訊中心
顯示於類別:	[電機工程學系] 研究計畫

文件中的檔案:

檔案	描述	大小	格式	瀏覽次數
index.html		0Kb	HTML	296	檢視/開啟

在NCUIR中所有的資料項目都受到原著作權保護.

社群 sharing

資料載入中.....