中大機構典藏-NCU Institutional Repository-提供博碩士論文、考古題、期刊論文、研究計畫等下載:Item 987654321/76273
English  |  正體中文  |  简体中文  |  全文笔数/总笔数 : 81025/81025 (100%)
造访人次 : 46038528      在线人数 : 721
RC Version 7.0 © Powered By DSPACE, MIT. Enhanced by NTU Library IR team.
搜寻范围 查询小技巧:
  • 您可在西文检索词汇前后加上"双引号",以获取较精准的检索结果
  • 若欲以作者姓名搜寻,建议至进阶搜寻限定作者字段,可获得较完整数据
  • 进阶搜寻


    jsp.display-item.identifier=請使用永久網址來引用或連結此文件: http://ir.lib.ncu.edu.tw/handle/987654321/76273


    题名: 適用於毫米波功率放大器之高功率氮化鋁銦/氮化鎵高電子遷移率電晶體開發;Development of High Power Alinn/Gan High Electron Mobility Transistors for Millimeter Wave Power Amplifiers
    作者: 綦振瀛;邱顯欽
    贡献者: 國立中央大學電機工程學系
    关键词: 電子電機工程
    日期: 2018-08-01
    上传时间: 2018-05-02 17:19:49 (UTC+8)
    出版者: 科技部
    摘要: 針對第五代(5G)行動通訊頻寬的需求,將載波頻率提升至毫米波是未來的趨勢,因此,世 界各國的研發團隊已紛紛投入相關研究。5G系統基地台之功率放大器也勢必更大幅地改用具 效率高、體積小優點的氮化鎵功率電晶體。目前的氮化鎵功率電晶體是以氮化鋁鎵/氮化鎵異 質結構為主,然而受限於其氮化鋁鎵的成分與厚度,高頻特性有所限制。在此計晝中,我們擬 以低界面應力的氮化鋁銦/氮化鎵異質結構來取代傳統的氮化鋁鎵/氮化鎵結構,藉由此新結構 特有的高濃度二維電子氣來降低電晶體通道電阻,提高電流密度。此計晝將以矽基板上0.1微 米T型閘極電子遷移率電晶體為研發載具,進行磊晶技術,製程技術與封裝技術之開發,並 展示10 W級Ka頻段(30 GHz)之功率電晶體。
    關聯: 財團法人國家實驗研究院科技政策研究與資訊中心
    显示于类别:[電機工程學系] 研究計畫

    文件中的档案:

    档案 描述 大小格式浏览次数
    index.html0KbHTML308检视/开启


    在NCUIR中所有的数据项都受到原著作权保护.

    社群 sharing

    ::: Copyright National Central University. | 國立中央大學圖書館版權所有 | 收藏本站 | 設為首頁 | 最佳瀏覽畫面: 1024*768 | 建站日期:8-24-2009 :::
    DSpace Software Copyright © 2002-2004  MIT &  Hewlett-Packard  /   Enhanced by   NTU Library IR team Copyright ©   - 隱私權政策聲明