適用於毫米波功率放大器之高功率氮化鋁銦/氮化鎵高電子遷移率電晶體開發 ;Development of High Power Alinn/Gan High Electron Mobility Transistors for Millimeter Wave Power Amplifiers

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题名:	適用於毫米波功率放大器之高功率氮化鋁銦/氮化鎵高電子遷移率電晶體開發;Development of High Power Alinn/Gan High Electron Mobility Transistors for Millimeter Wave Power Amplifiers
作者:	綦振瀛;邱顯欽
贡献者:	國立中央大學電機工程學系
关键词:	電子電機工程
日期:	2018-08-01
上传时间:	2018-05-02 17:19:49 (UTC+8)
出版者:	科技部
摘要:	針對第五代(5G)行動通訊頻寬的需求，將載波頻率提升至毫米波是未來的趨勢，因此，世界各國的研發團隊已紛紛投入相關研究。5G系統基地台之功率放大器也勢必更大幅地改用具效率高、體積小優點的氮化鎵功率電晶體。目前的氮化鎵功率電晶體是以氮化鋁鎵/氮化鎵異質結構為主，然而受限於其氮化鋁鎵的成分與厚度，高頻特性有所限制。在此計晝中，我們擬以低界面應力的氮化鋁銦/氮化鎵異質結構來取代傳統的氮化鋁鎵/氮化鎵結構，藉由此新結構特有的高濃度二維電子氣來降低電晶體通道電阻，提高電流密度。此計晝將以矽基板上0.1微米T型閘極電子遷移率電晶體為研發載具，進行磊晶技術，製程技術與封裝技術之開發，並展示10 W級Ka頻段(30 GHz)之功率電晶體。
關聯:	財團法人國家實驗研究院科技政策研究與資訊中心
显示于类别:	[電機工程學系] 研究計畫

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