開發濺鍍薄膜鈍化接觸技術及應用於矽晶太陽電池製作;Developement of passivated contact technology based on sputter deposition and its applications in crystalline silicon solar cells

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題名:	開發濺鍍薄膜鈍化接觸技術及應用於矽晶太陽電池製作;Developement of passivated contact technology based on sputter deposition and its applications in crystalline silicon solar cells
作者:	陳一塵
貢獻者:	國立中央大學材料科學與工程研究所
關鍵詞:	鈍化接觸層;濺鍍製程;多晶矽薄膜;穿隧氧化層鈍化接觸(TOPCon)太陽能電池;Passivation contacts;Sputtering processes;Polycrystalline silicon films;Tunnel oxide passivated contact (TOPCon) solar cells
日期:	2021-12-21
上傳時間:	2021-12-23 13:59:53 (UTC+8)
出版者:	科技部
摘要:	太陽能電池是綠能產業的發展重點之一，然而國內在高效率太陽能電池製程技術研發上仍是落後歐美。本計劃擬開發應用於TOPCon太陽電池之鈍化接觸層製作技術，此製程技術無需使用具有毒性之反應氣體及後端廢氣處理系統，可有效降低生產及設備維護成本，希冀此計畫的研發成果能為提升國內電池製程技術有所貢獻;並進而增加國內業界的市場競爭力。而在學術研究方面，本計畫將探討並建立低基板表面損傷之矽薄膜濺鍍技術，不同於一般只注重薄膜本身的性質，本研究將著重探討沉積條件對界面缺陷產生之影響，透過執行本計畫將有助於了解後續退火及氫電漿處理對鈍化缺陷效果之影響。
關聯:	財團法人國家實驗研究院科技政策研究與資訊中心
顯示於類別:	[材料科學與工程研究所 ] 研究計畫

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