凡德瓦磊晶成長氮化鎵與其在電子元件之應用;Van Der Waals Epitaxy of Gan for Electronic Device Applications

NCU Institutional Repository > 資訊電機學院 > 電機工程學系 > 研究計畫 > Item 987654321/87711

請使用永久網址來引用或連結此文件: http://ir.lib.ncu.edu.tw/handle/987654321/87711

題名:	凡德瓦磊晶成長氮化鎵與其在電子元件之應用;Van Der Waals Epitaxy of Gan for Electronic Device Applications
作者:	綦振瀛;蘇清源
貢獻者:	國立中央大學電機工程學系
關鍵詞:	氮化鎵;有機金屬化學蒸氣沉積;凡德瓦磊晶;石墨烯;氮化硼;多晶AlN;矽;GaN;MOCVD;van der Waals epitaxy;graphene;BN;poly-AlN;Si
日期:	2021-12-21
上傳時間:	2021-12-23 14:41:23 (UTC+8)
出版者:	科技部
摘要:	隨著5G通訊系統、再生能源系統、雲端機房、電動車/自駕車、人工智慧、機器人與物聯網的普及，氮化鎵(GaN)電子元件的市場規模預期可逐年快速成長。然而目前GaN元件大多製作於SiC，GaN-on-Si與GaN基板上，各自受限於磊晶厚度、品質、基板價格、尺寸等因素，造成元件規格與成本的瓶頸。本計畫擬以有機金屬化學蒸氣沉積法進行凡德瓦磊晶，成長GaN於有石墨烯或氮化硼二維材料覆蓋之多晶AlN基板、(111)與(100)矽基板，以突破前述基板所引起的瓶頸，在GaN材料領域開創新局。
關聯:	財團法人國家實驗研究院科技政策研究與資訊中心
顯示於類別:	[電機工程學系] 研究計畫

文件中的檔案:

檔案	描述	大小	格式	瀏覽次數
index.html		0Kb	HTML	95	檢視/開啟

在NCUIR中所有的資料項目都受到原著作權保護.

社群 sharing