English
| 正體中文 |
简体中文
|
全文筆數/總筆數 : 80990/80990 (100%)
造訪人次 : 41625423 線上人數 : 1961
RC Version 7.0 © Powered By DSPACE, MIT. Enhanced by
NTU Library IR team.
搜尋範圍
全部NCUIR
工學院
化學工程與材料工程學系
--研究計畫
查詢小技巧:
您可在西文檢索詞彙前後加上"雙引號",以獲取較精準的檢索結果
若欲以作者姓名搜尋,建議至進階搜尋限定作者欄位,可獲得較完整資料
進階搜尋
主頁
‧
登入
‧
上傳
‧
說明
‧
關於NCUIR
‧
管理
NCU Institutional Repository
>
工學院
>
化學工程與材料工程學系
>
研究計畫
>
Item 987654321/88616
資料載入中.....
書目資料匯出
Endnote RIS 格式資料匯出
Bibtex 格式資料匯出
引文資訊
資料載入中.....
資料載入中.....
請使用永久網址來引用或連結此文件:
http://ir.lib.ncu.edu.tw/handle/987654321/88616
題名:
高功率元件構裝之銅膠接合技術研究
;
Investigation of Copper Paste Applied on High Power Device Packaging
作者:
國立中央大學化學工程與材料工程學系
貢獻者:
國立中央大學化學工程與材料工程學系
關鍵詞:
銅-銅直接接合
;
微米/奈米銅粒子
;
低溫燒結
;
粒子堆積密度
;
奧斯特瓦爾德熟化
;
界面反應
;
擴散動力學
;
電遷移
;
電流擁擠效應
;
Copper-copper direct bonding
;
mixed-sized particle
;
low temperature sintering
;
particle packaging density
;
Ostwald ripening
;
interfacial reaction
;
diffusion kinetics
;
electromigration
;
current crowding effect
日期:
2022-07-26
上傳時間:
2022-07-27 10:37:31 (UTC+8)
出版者:
科技部
摘要:
本計畫所開發之混合微/奈米銅膠可應用於無壓力及低溫之電子構裝製程,甚可應用於第三代半導體構裝技術,以因應零碳排之需求。此製程技術可於低溫進行,但接合之元件可於高溫環境運作,對降低製程熱預算有重要幫助,也將降低先進構裝製程之成本。研究結果不僅能了解有機/無機交互作用對氧化銅還原之影響,並可探究不同粒徑之銅粒子堆疊密度及其熟化機制,亦能探討銅膠與不同基板界面處之原子擴散情形,並可研究電流幫助燒結之影響。研究成果將能深入了解建構銅膠燒結的動力學機制,建構元件構裝之學理基礎,更有助先進電子構裝技術的發展。
關聯:
財團法人國家實驗研究院科技政策研究與資訊中心
顯示於類別:
[化學工程與材料工程學系 ] 研究計畫
文件中的檔案:
檔案
描述
大小
格式
瀏覽次數
index.html
0Kb
HTML
67
檢視/開啟
在NCUIR中所有的資料項目都受到原著作權保護.
社群 sharing
::: Copyright National Central University. | 國立中央大學圖書館版權所有 |
收藏本站
|
設為首頁
| 最佳瀏覽畫面: 1024*768 | 建站日期:8-24-2009 :::
DSpace Software
Copyright © 2002-2004
MIT
&
Hewlett-Packard
/
Enhanced by
NTU Library IR team
Copyright ©
-
隱私權政策聲明