中大機構典藏-NCU Institutional Repository-提供博碩士論文、考古題、期刊論文、研究計畫等下載:Item 987654321/91018
English  |  正體中文  |  简体中文  |  Items with full text/Total items : 80990/80990 (100%)
Visitors : 42142759      Online Users : 1262
RC Version 7.0 © Powered By DSPACE, MIT. Enhanced by NTU Library IR team.
Scope Tips:
  • please add "double quotation mark" for query phrases to get precise results
  • please goto advance search for comprehansive author search
  • Adv. Search
    HomeLoginUploadHelpAboutAdminister Goto mobile version


    Please use this identifier to cite or link to this item: http://ir.lib.ncu.edu.tw/handle/987654321/91018


    Title: 高功率元件構裝之銅膠接合技術研究;Investigation of Copper Paste Applied on High Power Device Packaging
    Authors: 吳子嘉
    Contributors: 國立中央大學化學工程與材料工程學系
    Keywords: 銅-銅直接接合;微米/奈米銅粒子;低溫燒結;粒子堆積密度;奧斯特瓦爾德熟化;界面反應;擴散動力學;電遷移;電流擁擠效應;Copper-copper direct bonding;mixed-sized particle;low temperature sintering;particle packaging density;Ostwald ripening;interfacial reaction;diffusion kinetics;electromigration;current crowding effect
    Date: 2023-07-17
    Issue Date: 2024-09-18 14:09:58 (UTC+8)
    Publisher: 國家科學及技術委員會
    Abstract: 本計畫所開發之混合微/奈米銅膠可應用於無壓力及低溫之電子構裝製程,甚可應用於第三代半導體構裝技術,以因應零碳排之需求。此製程技術可於低溫進行,但接合之元件可於高溫環境運作,對降低製程熱預算有重要幫助,也將降低先進構裝製程之成本。研究結果不僅能了解有機/無機交互作用對氧化銅還原之影響,並可探究不同粒徑之銅粒子堆疊密度及其熟化機制,亦能探討銅膠與不同基板界面處之原子擴散情形,並可研究電流幫助燒結之影響。研究成果將能深入了解建構銅膠燒結的動力學機制,建構元件構裝之學理基礎,更有助先進電子構裝技術的發展。
    Relation: 財團法人國家實驗研究院科技政策研究與資訊中心
    Appears in Collections:[Department of Chemical and Materials Engineering] Research Project

    Files in This Item:

    File Description SizeFormat
    index.html0KbHTML20View/Open


    All items in NCUIR are protected by copyright, with all rights reserved.

    社群 sharing

    ::: Copyright National Central University. | 國立中央大學圖書館版權所有 | 收藏本站 | 設為首頁 | 最佳瀏覽畫面: 1024*768 | 建站日期:8-24-2009 :::
    DSpace Software Copyright © 2002-2004  MIT &  Hewlett-Packard  /   Enhanced by   NTU Library IR team Copyright ©   - 隱私權政策聲明