高壓氮化鎵元件研發及其在電動車的應用( II );Modeling and Reliability of High-Voltage 1700v Gan Devices( II )

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題名:	高壓氮化鎵元件研發及其在電動車的應用( II );Modeling and Reliability of High-Voltage 1700v Gan Devices( II )
作者:	辛裕明;綦振瀛;郭浩中;邱顯欽;劉宇晨;邱煌仁
貢獻者:	國立中央大學光電科學研究中心
關鍵詞:	氮化鋁鎵;氮化鎵;高速電子遷移率電晶體;場板;邊緣終止;電動車;充電;AlGaN;GaN;HEMT;Field plate;Edge termination;EV;Charging
日期:	2023-07-17
上傳時間:	2024-09-18 14:15:43 (UTC+8)
出版者:	科技部
摘要:	計畫達成開發1700V寬能隙元件(GaN FET)和其建構的功率因數修正器，逆變器和雙向CLLC諧振轉換器系統。計畫執行過程可以藉由開會交流，成果發表或是市場動態需求達成研究成果技轉或是商品化的可能。學術端的研究，由最上游的磊晶技術探討新穎結構與材料之磊晶技術，突破現有之專利，追求元件特性最佳化，並解決GaN元件之可靠性問題。中游的高壓製程技術和新穎元件模型則藉由製程開發和佈局設計充分發揮磊晶品質達成更可靠的低電阻元件，提供功率元件的最佳選擇。最後的車用充電應用電路呈現，可以提出GaN上下游整合解決方案，提供相關設計規範與樣本。
關聯:	財團法人國家實驗研究院科技政策研究與資訊中心
顯示於類別:	[光電科學研究中心] 研究計畫

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