砷化鎵基體異質接面雙極性電晶體之研製與其在積體化功率放大器之應用; GaAs based HBTs and their applications in power amplifier

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題名:	砷化鎵基體異質接面雙極性電晶體之研製與其在積體化功率放大器之應用;GaAs based HBTs and their applications in power amplifier
作者:	蘇世宗;Shih-tzung Su
貢獻者:	電機工程研究所
關鍵詞:	功率放大器;砷化鎵;鋁化砷鎵;磷化銦鎵;異質接面雙極性電晶體;單石微波積體電路;power amplifier;GaAs;AlGaAs;InGaP;HBT;MMIC
日期:	2001-07-05
上傳時間:	2009-09-22 11:41:23 (UTC+8)
出版者:	國立中央大學圖書館
摘要:	目前通訊領域可以說是除了個人電腦周邊相關產品外，另一個相當熱門的產業。功率放大器是高頻電路中關鍵的零組件，其輸出功率的大小決定了通信距離的遠近，而其效益的好壞則影響著手機的待機時間長短和電池的使用時間。然而一般所設計的功率放大器目的是給無線通訊手機使用，因此其對於體積的大小有也所要求，必須盡可能的小型化且重量輕及模組化。是故單石微波積體電路MMIC 更在無線通訊中成為不可或缺的製程技術。本論文主要在探討以砷化鎵為基體所製作的異質接面雙極性電晶體用於無線通訊系統中的功率放大器，與其各項設計理論與技術，並以積體化的方式完成功率放大器的製作。在本論文中主要在介紹異質接面雙極性電晶體的製程與量測，並利用AlGaAs/GaAs和InGaP/GaAs兩種不同材質做出功率元件並比較其特性；另外再針對不同基極厚度的設計來比較其元件特性表現。除此之外，另外介紹微波放大器的設計理論並利用氧化鋁基板的被動元件薄膜製程將其積體化實作出來。而本論文亦對功率放大器的設計原理及技術做簡介，包含其直流偏壓電路的設計、穩定度的考量及匹配網路的設計與負載線的設計理論；並對於異質接面雙極性電晶體中的非線性部分和熱效應的部分皆列入設計的考量內。
顯示於類別:	[電機工程研究所] 博碩士論文

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