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--博碩士論文
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Item 987654321/9118
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題名:
砷化鋁鎵/砷化鎵異質接面雙極性電晶體之研製及壓控振盪器設計與製程
作者:
王瑞慶
;
Ruan-Qing Wang
貢獻者:
電機工程研究所
關鍵詞:
異質接面雙極性電晶體
;
變容二極體
;
本質接面雙極性電晶體
;
單晶微波積體電路
;
高頻壓控振盪器
;
AlGaAs/GaAs
;
self-aligned
;
non-self-aligned
;
MMIC
;
VCO
日期:
2001-07-05
上傳時間:
2009-09-22 11:41:27 (UTC+8)
出版者:
國立中央大學圖書館
摘要:
在本論文中,我們著重的是AlGaAs/GaAs異質接面雙極性電晶體的製作並討論其特性。在製作的過程中,我們利用材料的晶格方向的蝕刻特性,設計了self-aligned及non-self-aligned兩種不同的製程方式。其中self-aligned的製程中有利於降低基極的電阻及CBC,如此的特性會增加fT及fMAX的頻率響應。 Self-aligned HBT的fT = 34 GHz,fMAX = 30 GHz; Non-self-aligned HBT 的fT = 31 GHz,fMAX = 17.75 GHz。 在VCO電路的應用上,利用在製作HBT的過程中基極及集極的p-n接面製作變容二極體,以達成異質接面雙極性電晶體及變容二極體的整合製程。此外HBT比本質接面雙極性電晶體( BJT )元件有更好的頻率響應,如此可設計出在單晶微波積體電路(MMIC)上之高頻壓控振盪器(VCO)。文中介紹了1.8 GHz與5.8 GHz VCO的設計與模擬,並量測 1.8 GHz VCO的量測特性為:Varactor 電壓為0時,輸出的頻率為2.1 GHz,輸出功率為0.43 dBm,相位雜訊為-76 dBc/Hz。
顯示於類別:
[電機工程研究所] 博碩士論文
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