PVT法生長大尺吋碳化矽單晶熱場、流場與濃度分佈對長晶影響研究;Effects of Thermal Field, Flow Field and Concentration Distribution on Crystal Growth of Large-Sized Sic Single Crystal Growth by Pvt Method

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题名:	PVT法生長大尺吋碳化矽單晶熱場、流場與濃度分佈對長晶影響研究;Effects of Thermal Field, Flow Field and Concentration Distribution on Crystal Growth of Large-Sized Sic Single Crystal Growth by Pvt Method
作者:	陳志臣
贡献者:	國立中央大學機械工程學系
关键词:	碳化矽;晶體生長;數值模擬;熱傳;熱應力;Silicon Carbide;Crystal Growth;Numerical Simulation;Heat Transfer;Thermal Stress
日期:	2023-07-17
上传时间:	2024-09-18 14:59:04 (UTC+8)
出版者:	國家科學及技術委員會
摘要:	目前SiC單晶已由6寸向上提升至8寸，PVT長晶系統爐體內的加熱系統設計更為困難，原有的爐體結構設計需進一步調整，另外為了達成量產低成本SiC單晶的目標，自動化批次(Batch)生長已成市場主流意見。計畫的執行，對於PVT長晶爐內的熱傳、反應氣體流動及質傳可充分的掌握，並了解生長過程反應室內各元件及所生長晶體的熱應力變化，有助於達成自動化批次生長高品質8寸SiC單晶的目標。
關聯:	財團法人國家實驗研究院科技政策研究與資訊中心
显示于类别:	[機械工程學系] 研究計畫

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